Intel, IEDM 2023’te, Moore Yasasını genişletecek türünün ilk örneği olan, arka taraf gücü ve doğrudan arka taraf temasıyla birleştirilmiş 3D yığınlı CMOS transistörlerini sergiliyor. Intel, Moore Yasasının devamı ve evriminin altını çizerek, şirketin gelecekteki süreç yol haritası için zengin bir yenilik yelpazesini koruyan teknik atılımları açıkladı.
2023 IEEE Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı’nda (IEDM), Intel araştırmacıları, arka taraf gücü ve doğrudan arka taraf kontaklarıyla birleştirilmiş 3D yığınlı CMOS (tamamlayıcı metal oksit yarı iletken) transistörlerdeki gelişmeleri sergiledi. Şirket ayrıca, arka taraf kontakları gibi arka taraf güç dağıtımına yönelik son Ar-Ge atılımlarına yönelik ölçeklendirme yollarını da bildirdi ve aynı 300 milimetrede galyum nitrür (GaN) transistörlerle silikon transistörlerin başarılı büyük ölçekli 3 boyutlu monolitik entegrasyonunu gösteren ilk şirket oldu.
Intel kıdemli başkan yardımcısı ve Bileşen Araştırması genel müdürü Sanjay Natarajan: “Angstrom Çağına girdiğimizde ve dört yıl içinde beş düğümün ötesine baktığımızda, sürekli inovasyon her zamankinden daha kritik hale geldi. Intel, IEDM 2023’te Moore Yasasını destekleyen araştırma ilerlemeleriyle ilerlemesini sergiliyor ve yeni nesil mobil bilgi işlem için daha fazla ölçeklendirme ve verimli güç dağıtımı sağlayan ileri teknolojiler sunma yeteneğimizin altını çiziyor” dedi.
Transistör ölçeklendirmesi daha güçlü bilgi işlem için katlanarak artan talebin karşılanmasına yardımcı olmanın anahtarı. Intel her geçen yıl bu bilgi işlem talebini karşılayarak, yeniliklerinin yarı iletken endüstrisini beslemeye devam edeceğini ve Moore Yasasının temel taşı olmaya devam edeceğini gösteriyor. Intel’in Bileşen Araştırma grubu, transistörleri istifleyerek, daha fazla transistör ölçeklendirmesi ve gelişmiş performans sağlamak için arka taraftaki gücü bir sonraki seviyeye taşıyarak ve aynı zamanda farklı malzemelerden yapılmış transistörlerin aynı levhaya entegre edilebileceğini göstererek mühendisliğin sınırlarını sürekli olarak zorluyor. Şirketin sürekli ölçeklendirmedeki yenilikçiliğini vurgulayan son süreç teknolojisi yol haritası duyuruları Bileşen Araştırması’ndan kaynaklandı.
IEDM 2023’te Components Research, daha yüksek performansa ulaşırken silikon üzerine daha fazla transistör yerleştirmenin yeni yollarını keşfetme konusundaki kararlılığını gösterdi. Araştırmacılar, transistörleri verimli bir şekilde istifleyerek ölçeklendirmeye devam etmek için gerekli olan temel Ar-Ge alanlarını belirledi. Arka taraftaki güç ve arka taraftaki kontaklarla birleştirildiğinde bunlar, transistör mimarisi teknolojisinde ileriye doğru atılan büyük adımlar olacak. Intel, arka taraftaki güç dağıtımını iyileştirmenin ve yeni 2D kanal malzemelerini kullanmanın yanı sıra, Moore Yasasını 2030 yılına kadar bir paketteki trilyon transistöre kadar genişletmek için çalışıyor.