Samsung, süper hızlı DDR5 bellek yongasını ortaya çıkaracak. Samsung pin başına 8.0 Gbps, 32 Gb modül, muhtemelen 128 GB bellek modülleriyle GDDR5X hızlarına yaklaştı.
Samsung’un yaklaşan 2024 IEEE Uluslararası Katı Hal Devre Konferansı’nda bir dizi son teknoloji bellek ürününün tanıtımını yapacağı bildiriliyor. Güney Koreli teknoloji devi, Yüksek Yoğunluklu Bellek ve Arayüzler oturumunda görücüye çıkacak olan daha önce duyurduğu GDDR7 belleğinin yanı sıra süper hızlı bir DDR5 bellek yongasını da tanıtacak. Yüksek kapasiteli 32 Gb DDR5 DRAM, aynı paket boyutunda 16 Gb DDR5 DRAM’in iki katı kapasite sunmak için 12 nanometre (nm) sınıfı işlem teknolojisi kullanılarak geliştirildi.
Samsung, konferansta tanıtacağı DDR5 yongası hakkında çok fazla bilgi vermemiş olsa da DDR5’in I/O hızının pin başına 8000Mbps’ye kadar olduğunu paylaştı. Yeni DDR5 ürünü ilk kez 2023’ün sonunda duyurulduğunda, Samsung Electronics DRAM Ürün ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı SangJoon Hwang: “12nm sınıfı 32Gb DRAM’imizle, 1 terabayta (TB) kadar DRAM modüllerini etkinleştirecek bir çözüm elde ettik ve bu da çağımızda artan yüksek kapasiteli DRAM ihtiyacını karşılamak için ideal bir şekilde konumlandırılmamıza olanak sağladı. Bellek teknolojisinin sınırlarını aşmak için farklılaştırılmış süreç ve tasarım teknolojileri aracılığıyla DRAM çözümleri geliştirmeye devam edeceğiz” dedi.
16 Gb DRAM kullanılarak üretilen önceki DDR5 128 GB DRAM modülleri, Through Silicon Via (TSV) işlemini gerektiriyordu. Ancak Samsung’a göre yeni 32 Gb DRAM, TSV işlemi olmadan 128 GB’lık bir modülün üretilmesine olanak tanıyor ve güç tüketimini yaklaşık yüzde 10 oranında azaltıyor. Bu, onu şu anda yapay zekanın giderek artan enerji talepleriyle mücadele eden veri merkezleri için hoş bir çözüm haline getiriyor.
Samsung’un en yeni DDR5 teknolojisi, tek aşamalı yapılandırmalarda DDR5-8000 hızlarında 32 GB ve 48 GB DIMM’lerin oluşturulmasına olanak tanır ve ayrıca çift aşamalı yapılandırmalarda 64 GB ve 96 GB DIMM’leri destekliyor. Hiç şüphe yok ki konferans başladıktan sonra yeni hafıza hakkında daha fazla bilgi edineceğiz.