(İmaj kredisi: Intel)
Her biçimdeki bellek, bilgi işlemin ayrılmaz bir parçasıdır, ancak aynı zamanda hem çip hem de sistem düzeyinde güç bütçesinin çoğunu tüketirken aynı zamanda performans için sınırlayıcı bir faktördür.
Intel ayrıca dünyanın ilk 3D yığınlı ferroelektrik belleğinin işlevsel gösterimini gerçekleştirdi. Bu teknolojinin en etkileyici yönü, ferroelektrik hendek kapasitörlerinin, transistörlerin üzerindeki mantık kalıbına dikey olarak istiflenebilmesidir. Bu, L1 ve L2 önbellekleri için kullanılan SRAM gibi diğer gömülü bellek türlerinde gördüğümüz gibi, belleğin kendi ayrı bölgesinde olmak yerine mantık öğelerinin üzerine katmanlanmasını sağlar.
Ferroelektrik bellek aynı zamanda NAND flash ile gördüğümüze benzer bir yeteneğe de olanak tanıyor – tipik olarak yalnızca bir biti depolayan bir yapıda birden çok veri bitini depolama yeteneği. Bu durumda Intel, kanal başına dört bit depolama yeteneğini gösterdi.
Doğal olarak, bu yaklaşım gecikmeyi azaltırken hem bant genişliğini hem de bellek yoğunluğunu artıracak ve çok daha büyük ve çok daha hızlı çip üzerinde önbellekler sağlayacaktır.
Intel, 2B yapılar için elektrik kontakları modellemesiyle aynı şekilde, şirketin kendi araştırma ve geliştirme süreçlerini ilerletecek olan ferroelektrik hafnia cihazları için karışık fazlar ve kusurlar için modelleme çalışmalarını da paylaştı.
Intel ayrıca “unutma”, yani güç kaybettiklerinde verilerini (açık/kapalı durumu) kaybetmeyen transistörleri araştırmaktadır. Bu, güç kesildiğinde durumunu koruyabilen NAND gibi geçici olmayan herhangi bir depolamaya benzer, ancak bir mantık transistörü biçiminde gelir. Intel, bu teknolojiyi oda sıcaklığında kullanmanın önündeki üç engelden ikisini engellediğini söylüyor. Bu sunumu özellikle dört gözle bekliyoruz.
Intel’in etkinlikteki diğer belgeleri, 5G’nin ötesinde gelecekteki teknolojileri etkinleştirebilen silikon üzerinde GaN gofretler ve kuantum hesaplama için daha iyi kübitler oluşturmak üzere kuantum bilgilerini depolamanın daha iyi yolları gibi diğer araştırma alanlarını özetliyor.
Transistörün tarihin akışını değiştirmesinin üzerinden 75 yıl geçti ve Intel’in Teknoloji Geliştirme Başkan Yardımcısı ve Genel Müdürü Dr. Ann Kelleher de Pazartesi günü IEDM’de özel bir konuşma yapacak. “Transistörün 75. Yıldönümü Kutlanıyor! Moore Yasası İnovasyonunun Evrimine Bir Bakış” sunumu 5 Aralık Pazartesi günü saat 09:45’te PT yapılacak. Bu sunumun kapsamını yakında takip edeceğiz.