S­a­m­s­u­n­g­,­ ­4­0­ ­y­ı­l­ı­ ­a­ş­k­ı­n­ ­b­i­r­ ­s­ü­r­e­d­i­r­ ­1­ ­t­r­i­l­y­o­n­ ­G­B­ ­b­e­l­l­e­k­ ­ü­r­e­t­t­i­.­ ­ ­B­u­ ­c­i­l­d­i­n­ ­y­a­r­ı­s­ı­ ­ü­ç­ ­y­ı­l­ ­i­ç­i­n­d­e­ ­y­a­y­ı­n­l­a­n­d­ı­

S­a­m­s­u­n­g­,­ ­4­0­ ­y­ı­l­ı­ ­a­ş­k­ı­n­ ­b­i­r­ ­s­ü­r­e­d­i­r­ ­1­ ­t­r­i­l­y­o­n­ ­G­B­ ­b­e­l­l­e­k­ ­ü­r­e­t­t­i­.­ ­ ­B­u­ ­c­i­l­d­i­n­ ­y­a­r­ı­s­ı­ ­ü­ç­ ­y­ı­l­ ­i­ç­i­n­d­e­ ­y­a­y­ı­n­l­a­n­d­ı­


Samsung Tech Day 2022’de Samsung Electronics Başkanı ve Bellek Modülleri Bölüm Başkanı Jung Bae Lee, Samsung’un 40 yıldan fazla bir sürede toplam 1 trilyon GB bellek ürettiğini ve bu hacmin yaklaşık yarısının son üç yılda üretildiğini söyledi.

Samsung, sırasıyla 30 ve 20 yıldır DRAM ve NAND’da lider olduğunu iddia etti. Samsung şu anda beşinci nesil 10nm sınıfı (1b) DRAM’in yanı sıra sekizinci ve dokuzuncu nesil dikey NAND belleği (V-NAND) geliştiriyor ve önümüzdeki on yılda bellek teknolojilerinin en güçlü kombinasyonunu sağlamaya devam etmeyi vaat ediyor.



Jung Bae Lee’ye göre bellek bant genişliği, kapasite ve enerji verimliliğindeki gelişmeler yeni nesil platformları doğurdu ve bu da yeni yarı iletken yeniliklerini teşvik etti. Bunu yaparken, Samsung daha yüksek dijital evrim seviyelerini hedefleyecektir.

Samsung, ortaklıkları genişleterek müşteri odaklı bir geliştirme felsefesine bağlı kalma ana hedefini yeniden teyit etti. Samsung, müşterilerin ve iş ortaklarının Samsung’un bellek ve yazılım çözümlerini çeşitli sunucu ortamlarında test edip onaylayabilecekleri Samsung Bellek Araştırma Merkezi’ni (SMRC) açacak. Bu yılın dördüncü çeyreğinde Güney Kore’deki ilk SMRC’nin açılışıyla başlayan Samsung, ABD’de ve dünyada daha fazla merkez açmak için Red Hat ve Google Cloud gibi ekosistem ortaklarıyla çalışmaya devam etmeyi planlıyor.


Popular Articles

Latest Articles