S­a­m­s­u­n­g­ ­F­o­u­n­d­r­y­ ­y­o­l­ ­h­a­r­i­t­a­s­ı­n­ı­ ­o­n­a­y­l­a­d­ı­:­ ­2­0­2­5­’­t­e­ ­2­n­m­ ­y­o­n­g­a­l­a­r­,­ ­2­0­2­7­’­d­e­ ­1­.­4­n­m­ ­y­o­n­g­a­l­a­r­

S­a­m­s­u­n­g­ ­F­o­u­n­d­r­y­ ­y­o­l­ ­h­a­r­i­t­a­s­ı­n­ı­ ­o­n­a­y­l­a­d­ı­:­ ­2­0­2­5­’­t­e­ ­2­n­m­ ­y­o­n­g­a­l­a­r­,­ ­2­0­2­7­’­d­e­ ­1­.­4­n­m­ ­y­o­n­g­a­l­a­r­

İşlem düğümü ne kadar küçük olursa, transistörler de dahil olmak üzere çiplerdeki özellik seti o kadar küçük olur. Daha küçük transistörler, bir çipin içine daha fazla transistör sığabileceği anlamına gelir ve bir çipin transistör sayısı ne kadar yüksekse, o kadar güçlü ve enerji açısından verimli olur. Hızlı bir örnek olarak, iPhone 11 serisi 8,5 milyar transistör içeren 7nm A13 Bionic kullandı. iPhone 14 Pro modelleri, TSMC’nin “4nm” olarak adlandırılan üçüncü 5nm geliştirmesi kullanılarak üretilen A16 Bionic ile donatılmıştır. Bu çiplerin her biri 16 milyar transistör içeriyor.

TSMC ve Samsung Foundry 3nm yongaları sevk ederken, Sammy’nin yongaları, geçidin kanalın her tarafıyla temas etmesine izin vererek voltaj sızıntılarını azaltan ve daha büyük bir sürücü akımı sağlayan çok yönlü geçit (GAA) transistörleri kullanır. TSMC, geçidin üç taraftan kanalla temas ettiği 3nm yongalarında hala FinFET transistörleri kullanıyor. TSMC, 2025’te 2nm üretimine başladığında GAA’ya geçecek.

Samsung, 2025 yılında üreteceği ilk 2nm yongaların akıllı telefon ve tablet gibi mobil cihazlarda kullanılmak üzere tasarlanacağını söylüyor. 2026 yılında yüksek performanslı bilgi işlemde kullanılmak üzere 2nm işlem düğümü de üretilecek ve takip eden yıl otomobillerde kullanılmak üzere bu gelişmiş çipler üretilecek.

Şirket ayrıca Pyeongtaek, Güney Kore ve Taylor, Teksas’taki üretim hatlarını ekleyerek çip üretim kapasitesini genişlettiğini duyurdu.

Popular Articles

Latest Articles