ASML'nin 0,55 sayısal açıklığa (NA) sahip projeksiyon optiklerine sahip Twinscan EXE High-NA EUV litografi makineleri, tek pozlamayla 8 nm'ye kadar çözünürlük elde edebiliyor. Mevcut low-NA EUV sistemleriyse tek pozlamayla 13.5 nm çözünürlük sunabiliyor. Bu sistemlerden ilki şu anda ASML'nin Hollanda'nın Veldhoven kentindeki laboratuvarında bulunuyor. İkincisi ise Hillsboro, Oregon yakınlarındaki Intel tesisinde monte ediliyor.
ASML sözcüsü Marc Assinck, "Teknik olarak bu 'ilk ışık' aslında plaka üzerindeki üzerindeki ilk ışık demek. Işık kaynağı zaten çalışıyordu, şimdi plakanın üzerinde 'dirençli' fotonlarımız var." dedi.
ASML uzmanları hâlâ Hollanda'da high-NA aracını kalibre ediyor, dolayısıyla makinenin henüz ilk test modellerini yazdırması gerekiyor.
Gelişme ilk olarak Intel'den Ann Kelleher tarafından San Jose, California'da devam eden SPIE litografi konferansında açıklandı. Intel şu anda ilk Twinscan EXE:5000 litografi makinesini Hillsboro, Oregon yakınlarındaki tesisinde monte ediyor. Makine birkaç ay sonra monte edildiğinde öncelikle üretim süreci geliştirme amacıyla kullanılacak.
Yakın zamanda yapılan bir testte Veldhoven'deki makine, fotorezistlerle hazırlanan silikon plaka üzerinde yeteneklerini başarıyla sergiledi ve devre deseni basmaya hazır olduğunu gösterdi. 'Plakada ilk ışık' olarak anılan bu başarı, high-NA EUV litografi alanında ileriye doğru atılmış önemli bir adıma işaret ediyor.
High-NA EUV litografinin önümüzdeki birkaç yıl içinde Intel, Samsung ve TSMC dahil olmak üzere, önde gelen çip üreticileri tarafından benimsenmesi bekleniyor. Intel, 2027 yılında çıkacaracağı Intel 14A süreci tabanlı işlemci nesli için sistemi kullanmayı planlıyor.
Işık kaynağı, aşırı ultraviyole (EUV) litografi araçlarının en karmaşık parçalarından biridir. Ne ASML ne de Intel, Twinscan EXE ışık kaynağının maksimum performansını (watt değerini) açıklamıyor.