J­a­p­o­n­ ­a­r­a­ş­t­ı­r­m­a­c­ı­l­a­r­ ­ç­i­p­ ­y­a­p­ı­m­ı­ ­i­ç­i­n­ ­p­a­r­ç­a­c­ı­k­ ­h­ı­z­l­a­n­d­ı­r­ı­c­ı­y­ı­ ­t­e­s­t­ ­e­d­i­y­o­r­ ­–­ ­a­r­a­ş­t­ı­r­m­a­c­ı­l­a­r­ ­E­U­V­ ­b­e­n­z­e­r­i­ ­l­i­t­o­g­r­a­f­i­ ­y­e­t­e­n­e­k­l­e­r­i­n­i­ ­i­d­d­i­a­ ­e­d­i­y­o­r­

Intel, Samsung Foundry ve TSMC, en yeni üretim düğümlerinde çip oluşturmak için ASML’nin yarı iletkenleri 13 nm çözünürlükte ‘basma’ kapasitesine sahip EUV litografi makinelerini kullanıyor. Ancak lazerle üretilen plazma (LPP) EUV ışık kaynağının (küçük kalay damlacıklarına uygulanan bir CO2 lazeri) kullanılması, çipleri ‘basmak’ için 13,5 nm EUV radyasyonu üretmenin tek yolu değildir. Raporlara göre Japonya’daki araştırmacılar, parçacık hızlandırıcılardan serbest elektron lazerlerinin (FEL’ler) kullanımını son teknoloji boyutlara sahip çipler yapmak için araştırıyorlar Spectrum.IEEE.org.

Yüksek Enerji Hızlandırıcı Araştırma Kurumu (KEK)Japonya’nın Tsukuba kentinde, bir robot tarafından üretilen serbest elektron lazerlerinin (FEL’ler) kullanımını araştırıyor. enerji geri kazanımı doğrusal (ERL) hızlandırıcı çip yapımı için. Bir enerji geri kazanımı doğrusal hızlandırıcısının, aynı anda birden fazla litografi makinesine güç sağlamak için onlarca kilowatt EUV gücünü uygun maliyetli bir şekilde üretebileceğini söylüyorlar. Buna karşılık ASML, Twinscan NXE:5800E için 500W EUV ışık kaynağı üretti ve EUV ışık kaynaklarının gücünü en sonunda 1000W’a çıkarma potansiyeline bakıyor.